SMILE平台设备推介：Oxford Instruments PlasmaPro 100 Cobra反应离子刻蚀机

 

Oxford Instruments PlasmaPro 100 Cobra 反应离子刻蚀机是专为 MEMS、化合物半导体及先进封装设计的高端刻蚀设备，支持 4-8 英寸晶圆及碎片衬底。设备采用 13.56MHz 射频等离子体源（可选 ICP 增强），通过真空环境下的氟基或氯基气体实现硅、氧化硅、氮化硅及 III-V 族材料的高精度刻蚀。其核心技术包括双温区控温电极（-150°C 至 400°C）、实时终点监测及动态气体流量控制，适配压力传感器、微流体器件及三维封装结构的量产与研发，尤其擅长深硅刻蚀（DSiE）及硅通孔（TSV）工艺，刻蚀深宽比可达 20:1 以上。

 

1.等离子体源：
13.56MHz 射频功率 0-3000W 可调，支持 CF₄、SF₆、O₂、Cl₂等气体，ICP 模式下离子密度提升 3 倍，适配厚膜（≤100μm）及高深宽比结构。
2.真空系统：
极限真空度≤6×10⁻⁵ Pa，压力控制范围 2mTorr 至 100Pa，配备干泵与涡轮分子泵，抽气时间≤15 分钟（大气压至 1×10⁻³ Pa）。
3.刻蚀能力：
硅刻蚀速率≥4μm/min（Bosch 工艺），氧化硅选择性≥50:1，深宽比 > 20:1，支持 200mm 晶圆及碎片衬底，单批次处理 19 片晶圆。
4.均匀性：
等离子体分布均匀性 ±5%@8 英寸晶圆，刻蚀速率均匀性≤±5%，支持动态剂量调节与图形密度补偿。
5.温度控制：
电极温度范围 - 150°C 至 400°C（液氮 / 电阻加热），晶圆背氦制冷精度 ±0.1°C，支持低温刻蚀（-150°C）抑制侧向侵蚀。
6.自动化：
集成 SECS/GEM 协议，支持多配方存储与远程监控，配备 7 英寸触摸屏人机界面，兼容 MEMS 复杂结构及先进封装（如扇出封装、凸点封装）。