SMILE平台设备推介：江苏鲁汶 TerbankTM Lorem®A刻蚀系统

 

江苏鲁汶 TerbankTM Lorem®A 刻蚀系统是专为 MEMS、化合物半导体及先进封装设计的离子束刻蚀（IBE）设备，支持 4-8 英寸晶圆及碎片衬底。设备采用物理溅射刻蚀原理，通过 Ar 离子束实现金属、氧化物、半导体等材料的高精度图形化加工，刻蚀均匀性≤3%（标准口径）或≤2%（大口径离子源）。其核心技术包括独立调控的离子束能量（100eV~1000eV）与密度、可倾斜载片台（-80°~80°）及多气体混合功能，适配压力传感器、微机电结构及三维封装的侧壁清洗与复杂图案刻蚀需求，尤其擅长低损伤、无化学反应的物理刻蚀工艺。

 

1.离子源参数：
离子束能量 100eV~1000eV 连续可调，束流密度 0.1~2mA/cm²，支持 Ar、O₂、N₂等气体，刻蚀速率典型值 50~500Å/ 分钟（硅），对光刻胶选择比≥5:1。
2.真空系统：
极限真空度≤5×10⁻⁶ Pa，压力控制范围 10⁻³~10² Pa，配备涡轮分子泵与干泵，抽气时间≤15 分钟（大气压至 1×10⁻³ Pa）。
3.处理能力：
兼容 4-8 英寸晶圆及 5mm×5mm 碎片，单批次处理 19 片晶圆，支持手动上下料与多配方存储功能。
4.均匀性：
刻蚀速率均匀性≤±3%@8 英寸晶圆（标准口径），侧壁粗糙度≤50nm，支持图形密度补偿算法。
5.自动化：
7 英寸触摸屏人机界面，支持 SECS/GEM 协议工厂集成，可选配远程监控与故障预警模块。
6.环境控制：
内置 Class 100 洁净腔室，温度 ±0.1°C，湿度 ±2%，减少颗粒污染与热变形影响。
7.安全设计：
UV 与微波屏蔽观察窗，配备过载保护与气体泄漏检测系统，适配 MEMS 复杂结构及三维封装（如扇出封装、凸点封装）。
（注：部分参数基于鲁汶仪器同系列设备（如 Haasrode® Lorem® R）及行业通用标准推断，具体以官方技术文档为准。）