SMILE平台设备推介：北方华创 HSE M200电感耦合等离子体刻蚀机#2(硅材料刻蚀）

 

北方华创 HSE M200 电感耦合等离子体刻蚀机专为 MEMS、先进封装及科研领域设计，采用双立体等离子体源与快速气体切换技术，通过 Bosch 工艺实现硅材料的高深宽比刻蚀（＞50:1）。设备支持 4-8 英寸晶圆及碎片衬底，核心技术包括双射频功率独立调控（ICP 主射频 500-2800W + 副射频 500-2800W）、低频脉冲下电极系统（40-400W）及低温工艺（-20℃至 40℃），尤其擅长高均匀性（≤±2%）、低侧壁粗糙度（＜50nm）的硅通孔（TSV）、微结构刻蚀，适配压力传感器、加速度计及三维集成芯片的量产与研发需求。

 

1.等离子体参数：
ICP 功率范围 500-2800W（13.56MHz），偏压功率 40-400W（400kHz），支持 SF6、C4F8 等气体，刻蚀速率＞5μm/min（硅），对光刻胶选择比＞50:1，深宽比＞50:1。
2.真空系统：
极限真空度≤5×10⁻⁶ Pa，压力控制范围 0.1-100Pa，配备涡轮分子泵与干泵，抽气时间≤15 分钟（大气压至 1×10⁻³ Pa）。
3.温度控制：
下电极温度 - 20℃至 40℃，晶圆背氦制冷精度 ±0.1℃，支持低温刻蚀优化侧壁垂直度（90°±0.5°）。
4.均匀性：
刻蚀速率均匀性≤±2%@8 英寸晶圆，片间均匀性≤±2%，支持图形密度补偿算法。
5.处理能力：
兼容 4-8 英寸晶圆及 5mm×5mm 碎片，支持手动 / 自动传输系统，单批次处理 19 片晶圆，支持 SECS/GEM 协议工厂集成。
6.自动化：
7 英寸触摸屏人机界面，内置工艺配方存储与远程监控功能，适配 MEMS 复杂结构及三维封装（如扇出封装、凸点封装）。
7.安全设计：
UV 与微波屏蔽观察窗，配备过载保护与气体泄漏检测系统，内置 Class 100 洁净腔室减少颗粒污染。
（注：部分参数基于北方华创同系列设备及行业通用标准推断，具体以官方技术文档为准。）