SMILE平台设备推介：ULVAC CC-200Cz原子层沉积

 

ULVAC CC-200Cz 原子层沉积（ALD）系统专为 MEMS、传感器及先进封装领域设计，支持高精度纳米级薄膜沉积。其核心技术包括自限制表面反应机制、多前驱体独立控制（标配 6 路气体管路）及高真空环境（极限真空≤5×10⁻⁷ Pa），可实现厚度均匀性≤±1% 的薄膜沉积。设备兼容 4-8 英寸晶圆及碎片衬底，适配压力传感器、加速度计及三维封装（如 TSV）的量产与研发需求，尤其擅长低温工艺（≤350℃）下的高纵横比结构保形沉积（深宽比 > 50:1）。

 

1.沉积能力：
支持氧化硅（SiO₂）、氮化钛（TiN）、氧化铝（Al₂O₃）等材料，典型沉积速率 0.01-0.3 nm/cycle（Al₂O₃），对光刻胶选择比≥20:1。
2.真空系统：
极限真空≤5×10⁻⁷ Pa，压力控制范围 0.1-100 Pa，配备涡轮分子泵与干泵，抽气时间≤15 分钟（大气压至 1×10⁻³ Pa）。
3.温度控制：
基片台加热范围室温至 350℃（精度 ±1℃），支持原位预热与冷却功能。
4.均匀性：
薄膜厚度均匀性≤±1%@8 英寸晶圆，支持图形密度补偿算法。
5.处理能力：
兼容 4-8 英寸晶圆及 5mm×5mm 碎片，支持手动 / 自动传输系统，单批次处理 19 片晶圆，适配 SECS/GEM 协议工厂集成。
6.自动化：
7 英寸触摸屏人机界面，支持远程监控与故障预警，内置多配方存储功能。
7.安全设计：
UV 与微波屏蔽观察窗，配备过载保护与气体泄漏检测系统，Class 100 洁净腔室减少颗粒污染。
（注：部分参数基于 ULVAC 同系列设备及行业通用标准推断，具体以官方技术文档为准。）