SMILE平台设备推介：荷兰 Tempress Systems TS8603BM低压化学气相沉积

 

荷兰 Tempress Systems TS8603BM 低压化学气相沉积（LPCVD）系统专为 MEMS 传感器、压力计及先进封装领域设计，支持氮化硅（Si₃N₄）、氧化硅（SiO₂）等介质薄膜的高精度沉积。其核心技术包括低真空环境（极限真空≤1×10⁻³ Pa）、多温区独立控温（±1℃）及气体流量动态调节，可实现厚度均匀性≤±3% 的薄膜沉积。设备兼容 4-8 英寸晶圆及碎片衬底，适配压力传感器、加速度计及三维封装（如 TSV）的量产与研发需求，尤其擅长高温工艺（最高 900℃）下的高纵横比结构保形沉积（深宽比 > 50:1）。

 

1.沉积能力：
支持 Si₃N₄、SiO₂、多晶硅（Poly-Si）等材料，典型沉积速率 0.1-5 Å/s（Si₃N₄），对光刻胶选择比≥10:1。
2.温度控制：
基片台加热范围 300-900℃（精度 ±1℃），支持五阶程序升温，适配高温氮化硅（850-900℃）及低温氧化硅（650-750℃）工艺。
3.真空系统：
极限真空≤1×10⁻³ Pa，压力控制范围 1-1000 Pa，配备涡轮分子泵与干泵，抽气时间≤15 分钟（大气压至 1×10⁻³ Pa）。
4.均匀性：
薄膜厚度均匀性≤±3%@8 英寸晶圆，支持图形密度补偿算法，片间 / 批间重复性≤±2%。
5.处理能力：
兼容 4-8 英寸晶圆及 5mm×5mm 碎片，支持手动 / 自动传输系统，单批次处理 19 片晶圆，适配 SECS/GEM 协议工厂集成。
6.自动化：
7 英寸触摸屏人机界面，支持远程监控与故障预警，内置多配方存储功能，支持工艺参数实时追溯。
7.安全设计：
配备气体泄漏检测、过载保护及 Class 100 洁净腔室，减少颗粒污染（<0.1μm 颗粒≤100 个 /ft³）。
（注：部分参数基于 Tempress 同系列设备及行业通用标准推断，具体以官方技术文档为准。）