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离子注入机

SMILE平台设备推介:ULVAC SOPHI-260离子注入机

 

ULVAC SOPHI-260 离子注入机专为 MEMS 传感器、压力计及功率器件领域设计,支持高精度掺杂工艺。其核心技术包括多离子源切换(标配 B、P、As 等)、低能量注入(10 keV~200 keV)及动态扫描控制,可实现剂量均匀性≤±3% 的离子分布。设备兼容 4-8 英寸晶圆及碎片衬底,适配压力传感器、加速度计及三维封装(如 TSV)的量产与研发需求,尤其擅长低温工艺(≤200℃)下的浅结形成与高纵横比结构掺杂(深宽比 > 30:1)。

 

 

1.离子能力:
支持硼(B⁺)、磷(P⁺)、砷(As⁺)等掺杂离子,能量范围 10 keV~200 keV,剂量范围 1×10¹²~1×10¹⁶ ions/cm²,对光刻胶选择比≥15:1。
2.真空系统:
极限真空≤5×10⁻⁶ Pa,压力控制范围 1×10⁻³~10 Pa,配备涡轮分子泵与干泵,抽气时间≤10 分钟(大气压至 1×10⁻³ Pa)。
3.均匀性:
薄膜剂量均匀性≤±3%@8 英寸晶圆,支持图形密度补偿算法,片间 / 批间重复性≤±2%。
4.处理能力:
兼容 4-8 英寸晶圆及 5mm×5mm 碎片,支持手动 / 自动传输系统,单批次处理 19 片晶圆,适配 SECS/GEM 协议工厂集成。
5.自动化:
10 英寸触摸屏人机界面,支持远程监控与故障预警,内置多配方存储功能,支持工艺参数实时追溯。
6.安全设计:
配备气体泄漏检测、过载保护及 Class 100 洁净腔室,减少颗粒污染(<0.1μm 颗粒≤100 个 /ft³)。
(注:部分参数基于 ULVAC 同系列设备及行业通用标准推断,具体以官方技术文档为准。)