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键合机

SMILE平台设备推介:EVGroup EVG510键合机

 

EVGroup EVG510 键合机专为 MEMS 传感器、微流体芯片及 3D 封装领域设计,支持晶圆级永久键合与临时键合工艺。其核心技术包括高压驱动系统(最大 60 kN)、高真空环境(极限真空≤1×10⁻⁵ mbar)及对称式快速加热 / 冷却卡盘(温度范围室温至 550℃),可实现键合界面剪切强度≥20 MPa。设备兼容 4-8 英寸晶圆及碎片衬底,适配压力传感器、加速度计及 TSV 封装的量产与研发需求,尤其擅长高温共晶键合(如 Au-Si)与低温阳极键合(玻璃 - 硅)工艺。

 

1.压力控制:
键合压力范围 10-60 kN,分辨率 0.1 kN,支持动态压力调节与压力补偿算法,确保高纵横比结构(深宽比 > 30:1)的均匀键合。
2.温度控制:
基片台加热精度 ±1℃,支持五阶程序升温,典型工艺温度 300-550℃(可选扩展至 650℃),适用于高温氮化硅键合及低温聚合物粘结。
3.真空系统:
极限真空≤1×10⁻⁵ mbar,压力控制范围 1×10⁻⁶-1000 mbar,配备涡轮分子泵与干泵,抽气时间≤10 分钟(大气压至 1×10⁻³ mbar)。
4.对准精度:
光学对准精度≤±5 μm(全局对准),支持边缘对准与红外穿透对准(硅 - 玻璃键合),片间 / 批间重复性≤±0.5 μm。
5.处理能力:
兼容 4-8 英寸晶圆及 5mm×5mm 碎片,支持手动 / 自动传输系统,单批次处理 19 片晶圆,适配 SECS/GEM 协议工厂集成。
6.自动化:
10 英寸触摸屏人机界面,支持远程监控与故障预警,内置多配方存储功能,支持键合过程实时追溯。
7.安全设计:
配备气体泄漏检测、过载保护及 Class 100 洁净腔室,减少颗粒污染(<0.1μm 颗粒≤100 个 /ft³),支持 UV / 微波屏蔽观察窗。
(注:部分参数基于 EVG 同系列设备及行业通用标准推断,具体以官方技术文档为准。)